功能描述：N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh??

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压（Vdss）：800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.75 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：177pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：*

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

标准包装：1

STB5NB60T4

STB5NB80T4

STB5NB80T4G

STB5NC50

STB5NC50-1

STB5NC50T4

STB5NK50Z

STB5NK50Z-1

STB5NK50ZT4

STB5NK52ZD-1